更新時間:2022-08-17
InGaAs 四(si)(si)象限探(tan)(tan)測器 我(wo)司四(si)(si)象限探(tan)(tan)測器是(shi)集(ji)成(cheng)了四(si)(si)路(lu)信號放(fang)大器,可(ke)以(yi)提供四(si)(si)路(lu)的(de)模擬電壓輸(shu)出。增益值可(ke)以(yi)進行(xing)調節,從高(gao)探(tan)(tan)測率低頻率測量到低增益寬帶寬,詳(xiang)細指標參照產(chan)品具(ju)體信息。
我司(si)有(you)多種四(si)象(xiang)限探(tan)測(ce)(ce)器(qi),包括用在紫外波(bo)段(duan)(duan)的(de)(de)硅探(tan)測(ce)(ce)器(qi)和(he)(he)用在紅外波(bo)段(duan)(duan)的(de)(de)銦(yin)鎵砷探(tan)測(ce)(ce)器(qi),這(zhe)些探(tan)測(ce)(ce)器(qi)是在一(yi)塊芯片上封裝了四(si)個(ge)單獨(du)(du)的(de)(de)感光面(四(si)個(ge)獨(du)(du)立的(de)(de)陽極共用一(yi)個(ge)陰極),這(zhe)類探(tan)測(ce)(ce)器(qi)接(jie)收(shou)光信(xin)號時可(ke)(ke)以在中心位置接(jie)收(shou)到強(qiang)的(de)(de)信(xin)號,因(yin)為每一(yi)個(ge)單獨(du)(du)光敏面類似于一(yi)個(ge)單獨(du)(du)的(de)(de)探(tan)測(ce)(ce)器(qi)可(ke)(ke)以接(jie)收(shou)不同電(dian)壓的(de)(de)寬光譜或者(zhe)接(jie)收(shou)一(yi)個(ge)比較寬范(fan)圍的(de)(de)電(dian)信(xin)號,和(he)(he)一(yi)些非PSD探(tan)測(ce)(ce)器(qi)不同需要有(you)高電(dian)壓和(he)(he)穩定的(de)(de)頻率(lv);NEP值和(he)(he)探(tan)測(ce)(ce)率(lv)、線寬之間的(de)(de)轉(zhuan)換可(ke)(ke)以通過(guo)四(si)個(ge)象(xiang)限的(de)(de)電(dian)信(xin)號處理來保證性能。
用四(si)象限探測器(qi)作為定位傳感(gan)器(qi)是(shi)有一些復雜,但是(shi)兩維的(de)(de)定位傳感(gan)是(shi)可行的(de)(de)方式(shi)(shi),只要光(guang)束能夠(gou)覆蓋在四(si)個(ge)光(guang)敏(min)面上。一旦在某(mou)一個(ge)光(guang)敏(min)面上有光(guang)信號就(jiu)可以以幾何(he)形(xing)式(shi)(shi)被檢測到,當然(ran)終的(de)(de)結果是(shi)和光(guang)斑(ban)大小(xiao)和形(xing)狀(zhuang)有關系;如果光(guang)斑(ban)很(hen)小(xiao)只能在某(mou)一個(ge)光(guang)敏(min)面上顯示那么整個(ge)定位信息(xi)就(jiu)不會(hui)準確。
橫向偏移二(er)分之(zhi)一(yi)光(guang)斑(ban)的(de)時候(hou)就會出現這種情況(kuang)。所以光(guang)斑(ban)大(da)小和探測器大(da)小之(zhi)間的(de)匹配就很(hen)關鍵。其他需要考慮的(de)就是光(guang)束的(de)位置、象元(yuan)間距和雜(za)散(san)光(guang)的(de)處理(li)。
需要說明(ming)的是(shi)我司InGaAs 四象限探測器是集(ji)成(cheng)了四(si)路(lu)信(xin)號放(fang)大器,可(ke)(ke)以提(ti)供(gong)四(si)路(lu)的模擬電壓輸出。增益值可(ke)(ke)以進行調節,從高探測率(lv)(lv)低頻(pin)率(lv)(lv)測量到低增益寬(kuan)帶寬(kuan),詳細指標參照產品具體(ti)信(xin)息。
InGaAs 四象限探測器指標:
型號 | LD-InGaAs-010-QD | LD-InGaAs-020-QD | LD-InGaAs-030-QD |
Active Diameter (mm) ,Overall | 1.0 | 2.0 | 3.0 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 | 1.0-1.7 |
Shunt Resistance(Ω) (Each Quadrant) | >100M | >60M | >30M |
Shunt Capacitance (pF) (Each Quadrant) | 40typ | 100typ | 200typ |
Element Spacing | <35 microns | <100 microns | 20micronstyp;45 microns max |
Responsivity @1.3μm (A/W) | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
Crosstalk | <1% | <1% | <1% |