這些(xie)探(tan)測(ce)器(qi)是(shi)在(zai)一(yi)塊芯(xin)片上封裝了(le)四(si)(si)個單獨的(de)(de)(de)感(gan)光(guang)面(mian)(四(si)(si)個獨立的(de)(de)(de)陽極共用一(yi)個陰極),這類(lei)探(tan)測(ce)器(qi)接(jie)收光(guang)信(xin)號(hao)時可(ke)以(yi)在(zai)中心位置(zhi)接(jie)收到較強的(de)(de)(de)信(xin)號(hao),因為每一(yi)個單獨光(guang)敏(min)面(mian)類(lei)似于(yu)一(yi)個單獨的(de)(de)(de)探(tan)測(ce)器(qi)可(ke)以(yi)接(jie)收不(bu)同電(dian)壓的(de)(de)(de)寬(kuan)光(guang)譜或者接(jie)收一(yi)個比較寬(kuan)范圍的(de)(de)(de)電(dian)信(xin)號(hao),我(wo)公司(si)提(ti)(ti)供的(de)(de)(de)si 四(si)(si)象限探(tan)測(ce)器(qi)是(shi)集成了(le)四(si)(si)路信(xin)號(hao)放大器(qi),可(ke)以(yi)提(ti)(ti)供四(si)(si)路的(de)(de)(de)模擬(ni)電(dian)壓輸(shu)出(chu)。增益值可(ke)以(yi)進行(xing)調節,從高探(tan)測(ce)率低頻率測(ce)量到低增益寬(kuan)帶寬(kuan),詳細指(zhi)標參照(zhao)產品具(ju)體信(xin)息。
查看詳細介紹InGaAs APD光電探測器(qi)產(chan)(chan)品有3個系列(lie)(lie):Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式,而Deschutes BSI™和 Siletz™系列(lie)(lie)為(wei)背(bei)照式。FSI 和BSI 的區別主要是FSI系列(lie)(lie)產(chan)(chan)品吸(xi)收(shou)低于(yu)950nm以下(xia)波(bo)長(chang),如果應(ying)用在(zai)950nm以上那(nei)么BSI系列(lie)(lie)APD產(chan)(chan)品提(ti)供(gong)更高的響應(ying)率(lv)。
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